IGBT將是實(shí)現(xiàn)中國十一五規(guī)劃能源消耗降低20%的關(guān)鍵
中國十一五規(guī)劃已明確提出:單位國內(nèi)生產(chǎn)總值能源消耗比“十五”期末要降低20%左右。由于電力是目前中國主要的工業(yè)能源，因此要實(shí)現(xiàn)國家的這一宏大生態(tài)目標(biāo)，關(guān)鍵就是要有效降低工業(yè)生產(chǎn)過程中那些需要大電流和高電壓的應(yīng)用的功耗。
目前市場上的核心功率器件主要有mosfet半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管和絕緣柵雙極型功率晶體管igbt。mosfet場效應(yīng)晶體管具有開關(guān)速度快和電壓型控制的特點(diǎn)，但其通態(tài)電阻大，難以滿足高壓大電流的要求;雙極型功率晶體管雖然能滿足高耐壓大電流的要求，但沒有快速的開關(guān)速度，屬電流控制型器件，需要較大的功率驅(qū)動(dòng)。因此mosfet半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管都不能滿足小型、高頻和高效率的要求，只有絕緣柵雙極型功率晶體管igbt集mosfet場效應(yīng)晶體管的高速性能和雙極型功率晶體管的低電阻性能于一體，具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大等優(yōu)點(diǎn)，這使得igbt器件成為了這些大功率工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的理想功率開關(guān)器件，因此能否有效地降低igbt開關(guān)元件的功耗也就成為實(shí)現(xiàn)中國十一五規(guī)劃能源消耗總目標(biāo)的關(guān)鍵之一。
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：岳紹義
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