此處VCC為控制電源電壓，VF1為二極管D1的順方向壓降，Vsat2為IGBT2的飽和壓降

然后，IGBT2被關(guān)斷，此時(shí)上下橋臂同時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)，電機(jī)電流通過FWD1進(jìn)入續(xù)流模式。當(dāng)VS處電位上升至接近P處電位時(shí)C1停止充電。

當(dāng)IGBT1

處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)電路要消耗電流，所以C1上的電壓將從VC1開始逐漸下降。（如

（2）：IGBT2關(guān)斷FWD2導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)

當(dāng)IGBT2關(guān)斷FWD2導(dǎo)通時(shí)，C1上的充電電壓VC1可通過下式來(lái)計(jì)算：

VC1=VCC-VF1+VEC2

此處VEC2為FWD2的順方向下壓降,IGBT2和IGBT1都關(guān)斷時(shí)，通過FWD2保持續(xù)流模式。因此，當(dāng)VS處的電位下降到VEC2時(shí)，C1開始充電以恢復(fù)其下降的電位。當(dāng)VS處電位上升至接近P電位水平時(shí)，C1停止充電。其后，IGBT1再次導(dǎo)通時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)電路要消耗電流，C1上的電壓將從VC1(2)電位開始逐漸下降。

四、自舉電容及柵極限流電阻的選取

  自舉電容由一個(gè)大電容和一個(gè)小電容并聯(lián)組成，在頻率為20KHz左右的工作狀態(tài)下選用1uF的電容和0.1uF的電容并聯(lián)使用。并聯(lián)高頻小電容用來(lái)吸收高頻毛刺干擾電壓。主電路上管的驅(qū)動(dòng)電壓波形峰頂不應(yīng)出現(xiàn)下降的現(xiàn)象。驅(qū)動(dòng)大容量的IGBT器件時(shí)，在工作頻率較低的情況下要注意自舉電容電壓穩(wěn)定性問題，故應(yīng)選用較大容量的電容。

  選擇適當(dāng)?shù)臇艠O限流電阻對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)來(lái)說相當(dāng)重要，因?yàn)?/SPAN>IGBT的開通和關(guān)斷是通過柵極電路的充放電來(lái)實(shí)現(xiàn)的，所以柵極電阻將對(duì)IGBT的動(dòng)態(tài)特性產(chǎn)生極大的影響。數(shù)值較小的柵極電阻使柵極電容的充放電較快，從而減小開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗。同時(shí)較小的柵極電阻增強(qiáng)了IGBT器件的耐固性，避免du/dt帶來(lái)的誤導(dǎo)通，但與此同時(shí)它只能承受較小的柵極噪聲，并導(dǎo)致柵極-發(fā)射極之間的電容同驅(qū)動(dòng)電路引線的寄生電感產(chǎn)生振蕩問題。另外，較小的柵極電阻還使得IGBT開通時(shí)di/dt變大，會(huì)導(dǎo)致較高的du/dt，增加了反向恢復(fù)二級(jí)管的浪涌電壓。在低頻應(yīng)用情況下，開關(guān)損耗不成為一個(gè)重要的考慮因素，柵極電阻增大可以提供較慢的開通速度，這時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮柵極的瞬態(tài)電壓和驅(qū)動(dòng)電流。對(duì)于不同容量的IGBT，其柵極限流電阻有不同的取值。一般是功率越大的IGBT的柵極電阻越小，同時(shí)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的布線也有嚴(yán)格要求，引線電感應(yīng)盡可能小。在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)具體的情況作調(diào)整，選取最合適的值。

   采用自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用情況采用不同的抗干擾措施。