您所在的位置：機電之家 >工程案例 > IBE 離子束刻蝕設(shè)備 MRAM 磁性存儲器干法刻蝕應(yīng)用

伯東企業(yè)（上海）有限公司的工程案例詳情

IBE 離子束刻蝕設(shè)備 MRAM 磁性存儲器干法刻蝕應(yīng)用

發(fā)布日期：2025-05-08 點擊量：79

商鋪名稱: 伯東企業(yè)（上海）有限公司
主營產(chǎn)品或服務(wù): 銷售：德國普發(fā),pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,渦輪分子泵,真空閥門 采購：暫無
經(jīng)營模式: 貿(mào)易公司-外商獨資
商鋪類型: 外商獨資
商鋪主頁: http://hakuto.jdzj.com/
主要經(jīng)營地點: 上海市外高橋保稅區(qū)希雅路33號17號樓3層
貿(mào)易地區(qū): 華東，華南
商鋪狀態(tài):   開通第12年
所屬行業(yè): 儀器儀表 ---> 檢測儀器
上海伯東代理 IBE 離子束刻蝕設(shè)備為 MRAM 磁性存儲器干法刻蝕提供解決方案, 可以刻蝕不易刻蝕的金屬或合成堆棧膜層 Ta, Ru, Pt … 及介質(zhì)層 SiO2, SiNx … IBE 離子束刻蝕設(shè)備實現(xiàn)離子刻蝕 Ion Beam Etch, 離子清洗 Ion Beam Pre-clean.
IBE 離子束刻蝕設(shè)備

上海伯東 IBE 離子束刻蝕設(shè)備特點
1. 離子束刻蝕設(shè)備可撘配美國 KRi 考夫曼品牌 RFICP 射頻離子源, 針對客戶所需不同的基板尺寸 2 ~12寸硅片, 離子束分布均勻性可以優(yōu)于95% 以上, 達到高刻蝕均勻性
美國 KRi 考夫曼品牌 RFICP 射頻離子源

2. 樣品臺裝置設(shè)計為可調(diào)式旋轉(zhuǎn), 刻蝕傾斜角度 0° ~170° 可以達到更佳刻蝕均勻性. 另外, 在載盤部分可以選擇氦冷裝置, 實現(xiàn)刻蝕工藝時對基板的冷卻效果.
IBE 離子束刻蝕設(shè)備
3. 進樣腔體可以選擇自動進樣設(shè)計或是手動進樣設(shè)計, 實現(xiàn)單片或是多片進樣選擇, 同時保持刻蝕工藝腔體處于真空狀態(tài), 達到連續(xù)性工藝.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕設(shè)備案例: 滿足刻蝕線條寬度, 準直度的高要求
IBE 離子束刻蝕設(shè)備案例: 滿足刻蝕線條寬度, 準直度的高要求

上海伯東代理 IBE 離子束刻蝕設(shè)備可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 是一種干法物理納米級別的刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%). IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 … 等研究.
對于“難去除”的材料比如貴金屬（如金和鉑）, 壓電材料（鋯鈦酸鉛 PZT,  鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 AL2O3 , Ni, Fe, Cr, Co, Cu, Mn 和 Pd 等）上海伯東 IBE 離子束刻蝕設(shè)備同樣有著穩(wěn)定的刻蝕均勻性.

若您需要進一步的了解 IBE 離子束刻蝕設(shè)備 詳細信息, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐                                  
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )    
F: +86-21-5046-1490                          
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )      
www.hakuto-vacuum.cn                       

現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！ 
免責(zé)聲明：
本網(wǎng)站部分內(nèi)容來源于合作媒體、企業(yè)機構(gòu)、網(wǎng)友提供和互聯(lián)網(wǎng)的公開資料等，僅供參考。本網(wǎng)站對站內(nèi)所有資訊的內(nèi)容、觀點保持中立，不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。如果有侵權(quán)等問題，請及時聯(lián)系我們，我們將在收到通知后第一時間妥善處理該部分內(nèi)容。