1-簡介
MSP430單片機(jī)對片內(nèi)FLASH的讀寫操作程序范例。
2-程序例程
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// 參數(shù)： wAddr 為地址 , 范圍 0x1000~0xFFFF
void ReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(U8 *)wAddr++;
return;
}
void WriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1;IE1=0; // 保護(hù)原來中斷標(biāo)志，并關(guān)閉有關(guān)中斷。
// 寫一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)到指定flash地址
while (bLen--)
{
while (FCTL3&BUSY); // 等待以前FLASH操作完成
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 發(fā)送寫flash命令
*(U8 *)wAddr++=*bBuf // 寫數(shù)據(jù)到指定的flash地址
while(FCTL3&BUSY); // 等待寫操作完成
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 對FLASH內(nèi)容進(jìn)行加鎖保護(hù)
}
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢復(fù)中斷標(biāo)志
IE1=reg2;
return;
}
void EraseSectorFlash(U16 wAddr)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1; // 保護(hù)有關(guān)中斷標(biāo)志
IE1=0; // 關(guān)閉IE1中斷
while(FCTL3&BUSY); // 等待FLASH編程結(jié)束
FCTL3 = FWKEY; // 為了準(zhǔn)備編程而初始化FLASH控制寄存器3
FCTL1 = FWKEY+ERASE; // 發(fā)送FLASH擦除命令
*(U8 *)wAddr=0; // 啟動(dòng)擦除操作
while(FCTL3&BUSY); // 等待擦除操作完成
FCTL1 = FWKEY; // 撤銷任何對FLASH的操作命令
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 對FLASH內(nèi)容進(jìn)行加鎖保護(hù)
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢復(fù)中斷標(biāo)志
IE1=reg2;
return;
}
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//例程結(jié)速 |
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66821730(技術(shù)支持)
